Q/S 上海天马微电子有限公司企业标准 Q/S0001-2007 TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称 版 号： 1.0 总 页 数： 23 制定部门： 制造部 生效日期： 2007年4月28日 拟 制： 方永学 2007-4-3 审 核： 向传义 2007-4-3 标 准 化： 吴乃亮 2007-4-25 会 签： 颜建军 朱希玲 2007-4-20 蔡明宏 2007-4-24 凌志华 2007-4-3 批 准： 安德浩 2007-4-24 2007-04发布 2007-04实施 上海天马微电子有限公司发布 上海天马微电子有限公司企业标准
TIANMA TFT工艺流程、材料、设备、生产常用中英文标准名称
Q/S0001-2007 第2页共23页 更改状态 一．TFT工艺流程中英文标准名称 Input 投料 Array Process Flow Unpacking Initial clean Particle count Clean before depo Gate （Mo/Al alloy ) Film depo RS meter Macro Inspection Clean before PR Pre bake PR Coating PR vacuum dry(VCD) PR soft bake Expose Titler Expose/Edge Expose 拆包装 预备清洗 尘埃粒子测试 成膜前清洗 栅电极成膜 电阻测量 宏观检查 涂胶前清洗 预烘 光刻胶涂布 光刻胶低压干燥 前烘 曝光 打标/边缘曝光 显影 坚膜 显影后自动光学检查 宏微观检查 显影后关键尺寸检查 长寸测量 栅电极湿刻 接触角测量 光刻胶剥离 刻蚀后关键尺寸测量 刻蚀后自动光学检查 宏微观检查 激光修补 更改内容 更改人 更改日期 阵列段工艺流程 Gate 栅电极层 Develop PR hard bake ADI Mic/Mac Inspection CD after develop Total pitch Gate Wet etch Contact angle PR strip CD after etch AEI Micro/Macro Inspection Laser Repair 上海天马微电子有限公司企业标准
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Clean before depo Active film depo AOI Macro Inspection Thickness Measurement Clean before PR Pre bake PR Coating PR vacuum dry PR soft bake Expose Develop PR hard bake ADI Mic/Mac Inspection Active film Dry etch & Ashing Thickness Measurement PR strip AEI Mic/Macro Inspection Clean before depo S/D Mo film depo RS meter MACRO Inspection Clean before PR Pre bake PR Coating 成膜前清洗 Active成膜 自动光学检查 宏观检查 厚度测量 涂胶前清洗 预烘 光刻胶涂布 光刻胶低压干燥 前烘 曝光 显影 坚膜 显影后自动光学检查 宏微观检查 Active膜干刻与灰化 厚度测量 光刻胶剥离 刻蚀后自动光学检查 宏微观检查 成膜前清洗 源/漏电极成膜 电阻测量 宏观检查 涂胶前清洗 预烘 光刻胶涂布 光刻胶低压干燥 前烘 曝光 边缘曝光 显影 坚膜 显影后自动光学检查 宏微观检查 显影后关键尺寸检查 烘炉坚膜 源电极/漏电极湿刻 n+高掺杂膜干刻 Q/S0001-2007 第3页共23页 Active层 S/D 源/漏电极层 PR vacuum dry PR soft bake Expose Edge expose Develop PR hard bake ADI MIC/MAC Inspection CD after develop Hard bake by oven S/D Mo Wet etch n+ a-Si Dry etch 上海天马微电子有限公司企业标准
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PR strip Thickness Measurement CD after etch AEI Micro/Macro Inspection Clean before O/S test Open/Short Test Clean before depo Pass'n film depo AOI MACRO Inspection Thickness Measurement Clean before PR Pre bake PR Coating 光刻胶剥离 厚度测量 刻蚀后关键尺寸测量 刻蚀后自动光学检查 宏微观检查 短路/开路测试前清洗 短路/开路测试 成膜前清洗 保护膜成膜 自动光学检查 宏观检查 厚度测量 涂胶前清洗 预烘 光刻胶涂布 光刻胶低压干燥 前烘 曝光 边缘曝光 显影 坚膜 显影后自动光学检查 宏微观检查 氮化硅干刻与灰化 光刻胶剥离 刻蚀后自动光学检查 宏微观检查 成膜前清洗 ITO成膜 电阻测试 煺火 宏观检查 涂胶前清洗 预烘 光刻胶涂布 光刻胶低压干燥 前烘 曝光 显影 Q/S0001-2007 第4页共23页 PR vacuum dry PR soft bake Passivation Expose 保护层 Edge expose Develop PR hard bake ADI Micro/Macro Inspection SinX Dry etch & ASHING PR strip AEI Micro/Macro Inspection Clean before PR a-ITO film depo RS meter Anneal Macro Inspection ITO ITO层 Clean before PR Pre bake PR Coating PR vacuum dry PR soft bake Expose Develop 上海天马微电子有限公司企业标准
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PR hard bake ADI Micro/Macro Inspection ITO film etch PR strip AEI Micro/Macro Inspection Anneal Array test Array repair TEG test Sort 坚膜 显影后自动光学检查 宏微观检查 ITO膜湿刻 光刻胶剥离 刻蚀后自动光学检查 宏微观检查 煺火 阵列测试 阵列修补 TEG测试 分级 Q/S0001-2007 第5页共23页 Final E/T 最终电测 CF Input 彩膜投料 Cell Process flow CF Initial Clean CF AOI CF Sort Clean before PI PI Print Pre-cure PI Inspection PI Thickness Measurement Main-cure PI rework CF&TFT Matching Rubbing Rubbing Inspection Loader & Un loader Buffer CST Buffer Rotation/Cooling Unit 制盒段工艺流程 彩膜预备清洗 彩膜自动光学检查 彩膜分级 配向膜涂布前清洗 配向膜涂布 预固化 配向膜检查 配向膜厚度测量 固化 配向膜返工 CF&TFT匹配 配向摩擦 摩擦检查 上料机/下料机 缓冲器 工装栏缓冲器 旋转/冷却单元 旋转/对位单元 翻转单元 摩擦后清洗 衬垫球散布 衬垫球计数 衬垫球返工 衬垫球附着固化 导电胶涂布 PI 配向膜 ODF Turn Align Unit Turn Over Unit After Rubbing Cleaner Spacer Spray Spacer Counter Spacer rework Spacer Cure Short Dispense
在 TFT-LCD_工艺制程简介
