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电工学第一章习题

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答案: 一.填空题

1.PN结正向偏置时导通,反向偏置时阻断的特性 2. 0.7 0.3

3.发射结 集电结 饱和 放大 截止 4.饱和 截止 放大 5.导体 绝缘体 半导体 6.P 空穴 7.基 发射 集电 锗PNP 8.耗能 储能 电场能 磁场能 9.正偏 反偏 VE>VB>VC ????>????>???? 10.发出 提供 电源 11.6 24 12.电源(信号源) 负载 电源与负载之间的连接部分 13.有关 无关 14.通路 开路 短路 15. 参考方向 关联参考 二.选择题

16.D 17.C 18.D 19.D 20.B 21.C 22.C 23.C 24.B 三.简答题

25.答:当元件的电压和电流参考方向为关联参考方向时,若P>0,元件吸收功率,在电路中消耗能量,相当于负载;若P<0,元件发出功率,在电路中相当于电源,向外提供能量。当元件的电压和电流参考方向为非关联参考方向时,若P>0,元件发出功率,向电路提供能量,相当于电源;若P<0,元件吸收功率,在电路中相当于负载,在电路中消耗能量。 26.答:(1)电压源两端的电压不随外接电路的变化而变化; (2)流过电压源的电流取决于电压源外接的电路。

27.答:(1)对于PNP型晶体管来说,集电极C、基极B、发射级E的电压关系满足 ????>????>???? ,对于NPN型晶体管来说,集电极C、基极B、发射级E的电压关系满足????>????>???? ;

(2)????=??????,????=????+????=(1+??)????,????≈?????????

28.三极管工作在放大工作状态时,集电结反偏,发射结正偏。 三极管工作在饱和工作状态时,发射线和集电结均正偏。 三极管工作在截止工作状态时,发射线和集电结均反偏。

四.判断题 29-33 ×××√× 五.计算题 34.

35. 解:利用电源等效变换解题过程如下:

4?1由分流公式可得:I=5?343?2.86 (A)

36.解:此题的考查点为二极管的伏安特性以及电路的基本知识。

首先从(b)图可以看出,当二极管D导通时,理想二极管电阻为零,所以uo=

ui;当D截止时,电阻为无穷大,相当于断路,因此uo=5V,即是说,只要判断出D导通与否,就可以判断出输出电压的波形。要判断D是否导通,可以以接地为参考点(电位零点),判断出D两端电位的高低,从而得知是否导通。

37.解:(a) UBE=1.7V–1V=0.7V>0,UBC =1.7V–1.3V=0.4V>0, NPN型硅管,工作在饱和状态。

(b) UBE=0.7V>0,UBC=0.7V–3V=-2.3V<0, NPN型硅管,工作在放大状态。 (c) UBE=0.5V-1.5V=-1V<0,UBC=0.5V–6V=-5.5V<0, NPN型硅管,工作在截止状态。

(d) UBE=0.5V-1.5V=-1V<0,U BC=0.5V–6V=-5.5V<0 ,NPN型硅管,工作在截止状态。 38.解:对a图

对b图

39. T1:①C ②B ③E NPN型硅管

T2:①B ②E ③C NPN型硅管 T3:①E ②B ③C PNP型锗管

40. (a) 2V (b) 0 V (c) -2 V (d) 2V (e ) 2 V (f) -2V

电工学第一章习题

答案:一.填空题1.PN结正向偏置时导通,反向偏置时阻断的特性2.0.70.33.发射结集电结饱和放大截止4.饱和截止放大5.导体绝缘体半导体6.P空穴7.基发射集电锗PNP8.耗能储能电场能磁场能9.正偏反偏VE>VB>VC????>????>????10.发出提供
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