(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109950322 A(43)申请公布日 2019.06.28
(21)申请号 201910227990.5(22)申请日 2019.03.25
(71)申请人 华南理工大学
地址 510641 广东省广州市天河区五山路
381号(72)发明人 徐苗 李美灵 李民 张伟 王磊
邹建华 陶洪 彭俊彪 (74)专利代理机构 北京品源专利代理有限公司
11332
代理人 孟金喆(51)Int.Cl.
H01L 29/786(2006.01)H01L 21/336(2006.01)
权利要求书1页 说明书6页 附图4页
(54)发明名称
一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法(57)摘要
本发明公开了一种顶栅型薄膜晶体管，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；所述氧化物修饰层设置于所述衬底与所述有源层之间。氧化物修饰层可对顶栅型薄膜晶体管的性能进行调节，达到了提高稳定性的作用，同时还可将氧化物修饰层和有源层同时进行图形化，可不增加光刻次数，因而在不增加光刻成本的前提下提高了顶栅型薄膜晶体管的性能。
CN 109950322 ACN 109950322 A
权 利 要 求 书
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1.一种顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述顶栅型薄膜晶体管包括：衬底、氧化物修饰层、有源层、栅绝缘层、栅极、钝化层、源极和漏极；
所述氧化物修饰层设置于所述衬底与所述有源层之间。2.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物修饰层的材料包括n型氧化物材料或p型氧化物材料。
3.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述n型氧化物材料包括氧化钽、氧化铪、氧化锆和氧化镧中的至少一种。
4.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述p型氧化物材料包括氧化铜、氧化镍和氧化锡中的至少一种。
5.根据权利要求2所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，当所述氧化物修饰层的材料包括n型氧化物材料时，所述氧化物修饰层还掺杂有稀土元素氧化物，其中的稀土元素包括钕(Nd)、镨(Pr)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、铒(Er)、镱(Yb)的至少一种。
6.根据权利要求5所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述稀土元素与所述氧化物修饰层的质量比为1％-40％。
7.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物修饰层的厚度为5nm-20nm。
8.根据权利要求1所述的顶栅型薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物修饰层设置于所述衬底与所述有源层之间，所述氧化物修饰层的材料为氧化钇。
9.一种顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成依次层叠的氧化物修饰层和有源层；在所述有源层上形成依次层叠的栅绝缘层和栅极；整面覆盖钝化层；
在所述钝化层上形成源极和漏极，且所述源极及所述漏极均通过通孔与所述有源层电连接。
10.根据权利要求9所述的顶栅型薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，在衬底上形成依次层叠的氧化物修饰层和有源层包括：
在衬底上依次形成氧化物层和金属氧化物半导体层；
同时图形化所述氧化物层及所述金属氧化物半导体层以分别得到所述氧化物修饰层和所述有源层；
或者包括：
在衬底上依次形成氧化物层和金属氧化物半导体层；图形化所述金属氧化物半导体层以得到所述有源层；以所述有源层为掩膜，刻蚀所述氧化物层以得到所述氧化物修饰层。
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CN109950322A一种顶栅型薄膜晶体管及其制作方法[专利]
