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2．31已知图题2．31所示电路中BJT为硅管，?=50，试求： (1)未接负载RL和接上负载后的电压放大倍数； (2)接上负载后的输入电阻和输出电阻。 2.31解答：
（1）IB?(VCC?UBE)/[Rb?(1??)Re]
?(12?0.7)V/[200k??(1?50)?4k?]?0.028mA
IE?IC?50?0.028mA=1.4mArbe?300??(1?50)?26mV/1.4mA?1.25k?g
'??(1??)R/[r?(1??)R] 未接负载时 Auebee ??(1?50)?4k?/[1.25k??(1?50)?4k?]?0.994
接负载时 Au??(1??)(Re//RL)/[rbe?(1??)(Re//RL)]
??51?(4k?//1.5k?)/[1.25k??51?(4k?//1.5k?)]?0.978
g（2） Ri?Rb//[rbe?(1??)(Re//RL)]
?200k?//[1.25k??(1?50)?(4k?//1.5k?)]?44k? Ro?Re//[rbe/(1??)]?4k?//(1.25k?/51)?24?
(2)输入电阻Ri和输出电阻Ro1、Ro2；
(3)电路正常工作为放大状态，但出现故障后用直流电压表测得：①UCE=16 V；②UCE =0.3 V；试分析故障产生的原因有哪几种可能?
2.32解答：
（1）IB?(VCC?UBE)/[Rb?(1??)Re]
?(12?0.7)V/[200k??(1?50)?1k?]?0.045mA
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IE?IC?50?0.045mA=2.25mArbe=300??(1?50)?26mV/2.25mA?0.889k?Au1???Rc/[rbe?(1??)Re]??50?3k?/[0.889k??(1?50)?1k?]??2.9Au2?(1??)Re/[rbe?(1??)Re]?(1?50)?1k?/[0.889k??(1?50)?1k?]?0.98gg
（2）Ri?Rb//[rbe?(1?50)?Re]
?200k?//[0.889k??(1?50)?1k?]?41.2k?
Ro1?Rc?3k?Ro2?rbe/(1??)?889?/(1?50)?17.4?
（3） ①当测得UCE=16 V时，三极管为截止状态，可能由以下几种原因产生：Rb过大或Rb断路或三极管发射结断路或Re断路等。
② 当测得UCE=0.3 V时，三极管为饱和状态，可能由以下几种原因产生：Rb过小或Rb短路或三极管集电结被击穿短路或外部b、c极之间短路等。
2．33图题2．33所示电路中BJT为硅管，?=100。 (1)该电路是哪种组态? (2)求电压放大倍数；
(3)求输入电阻和输出电阻。 2.33解答：
（1）是共基组态
（2）UB?VCCRb/(Rb?Rc2)?15V?60k?/(60?60)k??7.5V
IE?(UB?UBE)/Re?(7.5?0.7)V/2.9k??2.35mA rbe?300??(1?100)?26mV/2.35mA?1.417k?Au??(Rc1//RL)/rbe?100?(2.1k?//1k?)/1.417k??48.04g
（3）Ri?Re//[rbe/(1??)]?2.9k?//[1.417k?/(1?100)]?14?
Ro?Rc1?2.1k?
2．34四个FET的输出特性如图题2．34所示(其中漏极电流的参考方向与实际方向一致)，试问它们是哪种类型的FET?若是耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和电流IDSS的大小；若是增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。
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2.34解答：
（a）耗尽型NMOS管，UGS(off)= –4 V, IDSS=2 mA （b）结型P沟道，UGS(off)=4 V, IDSS=4 mA （c）增强型PMOS管，UGS(th)= –2 V （d）增强型NMOS管，UGS(th)=2 V
2．35 四个FET的转移特性如图题2．35所示，试判别它们分别属于哪种类型的FET，对于耗尽型的，指出其夹断电压UGS(off)和饱和电流IDSS的大小；对于增强型的，指出其开启电压UGS(th)的大小。
2.35解答：
（a）结型N沟道，UGS(off)= –4 V, IDSS=4 mA
（b）耗尽型NMOS管，UGS(off)= –4 V, IDSS=2 mA （c）增强型PMOS管，UGS(th)= –2 V
（d）耗尽型PMOS管，UGS(off)=2 V, IDSS=2 mA
2．36 已知图题2．36所示电路中FET的IDSS =5 mA，已知gm=1．34 mS，试求：
(1)电压放大倍数；
(2)输人电阻和输出电阻。
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2.36解答：
'?Rd//RL?3k?//1?103k??2.99k? （1）RL'??1.34mS?2.99k???4 Au??gmRLg
（2）Ri?Rg3?(Rg1//Rg2)?510k??(91k?//10k?)?519k?
Ro?Rd?3k?
2．37 已知图题2．37所示电路中FET的gm=5 mS，当US=20 mV时，试求输
出电压uo的大小。
2.37解答：
'?R2//Rd//RL?10?103k?//20k?//10k??6.66k?RL'??5mS?6.66k???33.3Au??gmRLgggg
由于Ri?Rs，故Aus?AuRi/(Ri?Rs)?Au 所以 Uo?33.3?20mV=666mV
2．38求图题2．38所示电路中的静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。已知gm=1 ms，IDO =2 mA，UGS(th)=2 V。
2.38解答：
UGS?VDDRg2/(Rg1?Rg2)?15V?3k?/(12k??3k?)?3VID?IDO(UGS/UGS(th)?1)2?2mA(3V/2V?1)2?0.5mAUDS?VDD?IDRd?15V?0.5mA?10k?=10VAu??gmRd??1mS?10k???10Ri?Rg3?(Rg1//Rg2)?10M??(12k?//3k?)?10M?Ro?Rd?10k?g
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2．39 图题2．39所示为光电三极管直接驱动24 V、5 mA的微型继电器KA的电路，试说明其工作原理及二极管D的作用(该光电管的光电流大于10 mA，最高工作电压30 V)。
2.39解答：
有光照时，光电三极管导通，继电器KA的线圈有电流通过，则继电器的触点（图中未画出）动作；无光照时，光电三极管截止，继电器KA的线圈无电流通过，则继电器的触点恢复原来状态，从而实现继电器对相关设备的控制。图中二极管称续流二极管，由于继电器KA的线圈是电感元件，当光电三极管由导通到截止的瞬间，继电器线圈两端将产生较高的自感应电压，极性为下正上负，从而使二极管导通，钳位于0.7 V，对三极管起保护作用。
2．40 图题2．40所示为光电耦合器组成的无触点常开式开关电路，试说明其工作原理。
2.40解答：
当输入为低电平时，三极管T截止，光电耦合器中的发光器件无电流通过不发光，则光电耦合器中的受光器件无输出，相当于触点断开；当输入为高电平时，三极管T饱和导通，光电耦合器的发光器件有电流通过而发光，则光电耦合器的受光器件有输出，相当于触点闭合；因此，光电耦合器构成无触点的动合式开关电路。
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第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)教程文件
