反极性霍尔集成电路HAL57X
1.概述
HAL57X是一款基于混合信号CMOS技术的单极 锁存型霍尔效应传感器，器件内部集成了电压调节器、 带动态偏置补偿系统的霍尔传感器、施密特触发器和一 个开漏极输出驱动，这些都在同一个封装里。
这款IC采用了先进的斩波稳定技术，因而能够提 供准确而稳定的磁开关点。除了以下“应用”中列出的 应用外，这款传感器还有很多其他应用。
因为HAL57X的宽工作电压以及宽泛的温度选择 范围，使得它非常适合用于汽车、工业以及消费行业中。
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宽工作电压范围：3.5V - 24V 插件N极感应，贴片S极感应 CMOS工艺
口 优越的温度稳定性 口 极低的开关点漂移 口 对物理应力不敏感
2.应用
?汽车、消费、工业 ? ?
?稳定的斩波放大
固态开关 断流器 线性位置检测
?速度检测 ?
?角位置检测 ?接近探测
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低电流消耗 开漏极输出
贴片型 SOT23-3L、插件 TO-92S
3. 功能框图
VDD
UA封装 Pin 1 - VDD Pin2-GND Pin 3-OUT
SO封装 Pin 1 - VDD Pin 2-OUT Pin3-GND
4. 专业术语
术语 MilliTesla (mT) RoHS SOT ESD BLDC Operating Point (BOP) 描述 高斯，磁感应强度单位ImT = 10高斯 危险物质限制 小轮廓晶体管(SOT封装)一也可以用封装号\SO”引用 防静电 无刷直流 使输出导通的作用于封装标记面的磁感应强度(VOUT= VDSon) 使输出截止的作用于封装标记面的磁感应强度(VOUT= high) Release Point (BRP) 5. 管脚定义和描述
57X xxxx
SO引脚编号 1 2 3 UA引脚编号 1 3 2 名称 类型 电源 输出 地 I
功能 VDD OUT GND 电源电压引脚 开漏极输出引脚 接地引脚 6. 独特特性 基于混合信号CMOS工艺，Hallwee HAL57X是一款反极敏感的霍尔效应器件，这种多用 途锁存器符合大多数应用需求。
斩波稳定放大器使用开关电容技术以消除霍尔传感器和放大器的偏置电压。CMOS工艺使 比Bipolar工艺得到更小的芯片尺寸以及更低的功耗这种先进的技术成为可能。更小的芯片尺寸 也是减少物理应力影响的一个重要因素。这些结合能得到更稳定的磁特性以及使得设计更快更精 确。
宽电压范围从3.5V~24V,低功耗以及耐高温，宽工作温度范围使得该器件适合于汽车、工 业以及消费行业。
7. 极限参数
参数 电源电压 电源电流 输出电压 输出电流 储存温度范围 最大结温 符号 参数值 28 50 28 50 -50~ 150 165 -40~ 150 单位 V VDD IDD VOUT IOUT TS TJ TA mA V mA C C C 工作温度 注意：超过以上极限参数，可能会造成永久性伤害。长时间处于极限条件下可能影响器件的可靠 性。为保障器件正常工作，应满足以下电学特性一节中规定的工作条件。
8. 电学特性
直流工作参数：TA = 25°C, VDD=3.5V~24V （除非另有说明） 参数 电源电压 电源电流 输出饱和电压 输出漏电流 输出上升时间 输出下降时间 最大转换频率 符号 测试条件 Operating B < BRP 最小值 典型值 最大值 3.5 单位 V VDD IDD VDSon 24 5 0.5 1 0.25 0.25 10 301 mA V IOUT = 20mA, B > BOP B < BRP, VOUT = 24V IOFF TR TF FSW RTH 10 pA MS MS KHz C/W RL= 1KQ, CL = 20pF RL= 1KQ, CL = 20pF 封装热阻 Single layer (1S) JEDEC board 注意：HAL57X的输出在电源电压超过2.2V时改变，但是磁特性只有在电源电压超过3.5V时 才正常。
9. 磁场特性
参数 工作点 释放点 磁滞 工作点 型号 测试条件 BOP (TA=25C, VDD=12VC) 最小值 5 2 2 10 5 典型值 7 最大值 10 单位 mT mT HAL571 BRP (TA=25C, VDD=12V) BHYS (TA=25C, VDD=12V) 4 3 12 9 4 15 13 mT mT mT BOP (TA=25C, VDD=12V) HAL572 BRP (TA=25C, VDD=12V) 释放点 磁滞 BHYS (T*=25C, VDD=12V) 2 3 5 mT 10. 使用方法
强烈建议器件的电源（VDD引脚）和地（GND引脚）之间连接一个外部旁路电容（邻近霍尔 传感器）以减少外部噪声以及斩波稳定技术产生的噪声。如下所示两张图，通常情况下用0.1pF 的电容。
对于反向电压保护，建议连接一个电阻或二极管与VDD引脚串联。当使用电阻时，以下三点 很重要：
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该电阻需要限制反向电流最大不超过50mA （VCC / R1 W 50mA） 产生的设备电源电压VDD必须大于VDD min （VDD = VCC - R1*IDD） 该电阻必须承受在反向电压条件下的功率损耗
当使用二极管时，反向电流不能通过并且压降通常是一个常数C0.7V）。因此，推荐在5V 应用中使用100Q/0.25W电阻，在更高电源电压下使用二极管。两种方案都提供了必要的反向 电压保护。当使用一个弱电源时或者当该器件要用于噪音环境时，推荐使用右图。由R1和C1 组成的低通滤波器和齐纳二极管Z1绕过干扰和发生在器件电源电压VDD上的峰值。二极管D1 提供了额外的反向电压保护。
Typical Three-Wire Application Circuit Automotive and Severe Environment Protection Circuit
11. ESD防范
R1:100
电子半导体产品对静电比较敏感，所以每次处理半导体产品时要注意静电控制程序。
HAL571(572)反极性输出CN
