第六节 场效应管(MOS管)
6.1场效应管英文缩写：FET(Field-effect transistor) 6.2 场效应管分类：结型场效应管和绝缘栅型场效应管 6.3 场效应管电路符号：
D D G G 结型场效应管
S S N沟道 P沟道
6.4场效应管的三个引脚分别表示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)
D D D D G
G G G 绝缘栅型场效应管
S S S 增强型 S 耗尽型
N沟道 P沟道 N沟道 P沟道
注：场效应管属于电压控制型元件，又利用多子导电故称单极型元件，且具有输入电阻高，噪声小，功耗低，无二次击穿现象等优点。
6.5场效应晶体管的优点：具有较高输入电阻高、输入电流低于零，几乎不要向信号源吸取
电流，在在基极注入电流的大小，直接影响集电极电流的大小，利用输出电流控制输出电源的半导体。 6.6场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。 （4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管
6.7 场效应管好坏与极性判别:将万用表的量程选择在RX1K档,用黑表笔接D极,红表笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效应管应呈瞬时导通状态,即表针摆向阻值较小的位置,再用手
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触及一下G,S极, 场效应管应无反应,即表针回零位置不动.此时应可判断出场效应管为好管. 将万用表的量程选择在RX1K档,分别测量场效应管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换表笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用表测量S极和D极之间的电阻值一次,交换表笔后再测量一次,其中阻值较小的一次,黑表笔接的是S极,红表笔接的是D极.
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第七节 集成电路
7.1 集成电路的英文缩写 IC(integrate circuit) 7.2 电路中的表示符号: U
7.3集成电路的优点是:集成电路是在一块单晶硅上,用光刻法制作出很多三极管,二极管,电阻和电容,并按照特定的要求把他们连接起来,构成一个完整的电路.由于集成电路具有体积小,重量轻,可靠性高和性能稳定等优点,所以特别是大规模和超大规模的集成电路的出现,是电子设备在微型化,可靠性和灵活性方面向前推进了一大步. 7.4 集成电路常见的封装形式
BGA(ball grid array)球栅阵列(封装) 见图二
QFP(quad flat package)四面有鸥翼型脚(封装) 见图一
SOIC(small outline integrated circuit) 两面有鸥翼型脚(封装) 见图五
PLCC(plastic leaded chip carrier)四边有内勾型脚(封装) 见图三 SOJ(small outline junction) 两边有内勾型脚(封装) 见图四
图一 图二
图三 图四
图五
7.5集成电路的脚位判别;
1. 对于BGA封装（用坐标表示）：在打点或是有颜色标示处逆时针开始数用英文字
母表示－A,B,C,D,E……(其中I,O基本不用)，顺时针用数字表示－1，2，3，4，5，6……其中字母位横坐标，数字为纵坐标 如：A1,A2
2. 对于其他的封装：在打点，有凹槽或是有颜色标示处逆时针开始数为第一脚，第
二脚，第三脚……
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7.6 集成电路常用的检测方法有在线测量法、非在线测量法和代换法。
1．非在线测量 非在线测量潮在集成电路未焊入电路时，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比，以确定其是否正常。 2．在线测量 在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否正常，来判断该集成电路是否损坏。 3．代换法 代换法是用已知完好的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路，可以判断出该集成电路是否损坏。
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第八节 Socket,Slot
8.1 Socket和Slot的异同: Socket是一种插座封装形式,是一种矩型的插座(见图六); Slot是一种插槽封装形式,是一种长方形的插槽(图七).
图六
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图七
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