经没用了。如果不开阀门江水就自己冲开了，这就是二极管的击穿。
在模拟电路中，一般阀门是半开的，通过控制其开启大小来决定输出水流的大小。 没有信号的时候，水流也会流，所以，不工作的时候，也会有功耗。
而在数字电路中，阀门则处于开或是关两个状态。当不工作的时候，阀门是完全 关闭的，没有功耗。
结构与操作原理
三极管的基本结构是两个反向连结的 pn 接面，如图1所示，可有 pnp 和 npn 两种 组合。三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集 极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn 与 pnp 三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为 n 型半导体，和二 极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个 pn 接面都会形成耗尽区，将中性的 p 型区和n 型区隔开。
图1 pnp(a)与 npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三 极管的电特性和两个 pn 接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这 里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区 EB 极间的 pn 接面维持在正向偏压，而 BC 极间的 pn 接面则在反向偏压，通常用作放大器的三 极管都以此方式偏压。图2(a)为一 pnp 三极管在此偏压区的示意图。 EB 接面的 空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极， 基极的电子也会注入到射极；而 BC 接面的耗尽区则会变宽，载体看到 的位障变 大，故本身是不导通的。图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情 形下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接 的 pn 二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于 三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之 pnp 三极管为例，射 极的电洞注入基极的n 型 中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极 方向扩散，同时也被电子复合。当没有被复合的电洞到达 BC 接面的耗尽区时， 会被此区内的电场加速扫入集 电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移 电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流 IC。 IC 的大小和 BC 间反向偏 压的大小关系不大。基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流 IBrec，与由 基极注入射极的电子流 InB?E（这部分是三极管作用不需要的部分）。 InB? E在 射极与与电洞复合，即 InB?E=IErec。pnp 三极管在正向活性区时主要的电流种类 可以清楚地在图3(a)中看出。
图2 (a)一 pnp 三极管偏压在正向活性区；(b)没外加偏压，和偏压在正向活性区两 种情形下，电洞和电子的电位能的分布图比较。
图3 (a) pnp 三极管在正向活性区时主要的电流种类；(b)电洞电位能分布及注入的 情形；(c)电子的电位能分布及注入的情形。
一般三极管设计时，射极的掺杂浓度较基极的高许多，如此由射极注入基极 的射 极主要载体电洞（也就是基极的少数载体）IpE?B 电流会比由基极注入射极 的载 体电子电流 InB? E大很多，三极管的效益比较高。图3(b)和(c)个别画出电洞 和电 子的电位能分布及载体注入的情形。同时如果基极中性区的宽度 WB 愈窄， 电洞 通过基极的时间愈短，被多数载体电子复合的机率愈低，到达集电极的有效电 洞 流 IpE?C 愈大，基极必须提供的复合电子流也降低，三极管的效益也就愈高。 集 电极的掺杂通常最低，如此可增大CB极的崩溃电压，并减小 BC 间反向偏压的 pn 接面的反向饱和电流，这里我们忽略这个反向饱和电流。 由图4(a)，我们可以把 各种电流的关系写下来： 射极电流 基极电流 集电极电流
三极管的工作原理，详细、通俗易懂、图文并茂
