专升本《微电子器件与IC设计》
一、 （共71题,共150分）
1. 电阻率小于的材料称为（ ）。 （2分） A.导体 B.绝缘体 C.半导体 .标准答案：A
2. 半导体硅材料的晶格结构是（ ）。 （2分） A.金刚石 B.闪锌矿 C.纤锌矿 .标准答案：A
3. 施主杂质电离后向半导体提供（ ）。 （2分） A.空穴 B.电子 C.空穴与电子 .标准答案：B
4. 砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ ）。 （2分） A. .标准答案：A
5. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为，同时掺有浓度为的磷，空穴浓度为（ ）。（已知:室温下） （2
分） A. B. C. .标准答案：C
6. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为的磷，少子浓度为（ ），（已知:室温下） （2
分） A. B. C. .标准答案：C
7. 载流子的漂移运动产生（ ）电流。 （2分） A.漂移 B.隧道 C.扩散 .标准答案：A
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第1页共5页8. 平衡状态下半导体中载流子浓度载流子的产生率等于复合率，而当
时，载流子的复合率（ ）产生率。 （2分） A.大于 B.等于 C.小于 .标准答案：C
9. MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ ）。（VS为半导体表面电势；qVB=Ei-EF） （2分）
A.VS=VB B.VS=2VB C.VS=0 .标准答案：B
10. 在开关器件及与之相关的电路制造中，（ ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 （2分） A. .标准答案：C
11. 平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ ）。 （2分） A.发射区 B.基区 C.集电区 .标准答案：A
12. 下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ ）。 （2分） A.金属、 B.半导体、 C.绝缘体 .标准答案：C
13. 在下列半导体中，费米能级最高的是（ ）。 （2分） A.强P型 B.弱P型 C.强N型 .标准答案：C
14. 位错是半导体材料中的一种常见的（ ）。 （2分） A.点缺陷 B.线缺陷 C.面缺陷 .标准答案：B
15. 半导体的电导率随掺杂浓度的增加而（ ）。 （2分） A.增加 B.减小 C.不变 .标准答案：A
16. 根据成分的不同，半导体材料可以分为两类，分别是____________________和____________________。 （4分）
.标准答案：1. 元素半导体;2. 化合物半导体。;
17. PN结电击穿的产生机构两种，分别是________________和________________。（4分）
.标准答案：1. 雪崩击穿;2. 隧道击穿或齐纳击穿。;
18. 当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT的影响为________，对于窄沟道器件对VT的影响为________。 （4分）
.标准答案：1. 下降;2. 上升;
19. 平衡状态下，我们用统一的费米能级ＥＦ来标志电子填充能级的水平，在非平衡状态下，导带中的电子填充能级的水平是用________________________（ＥＦn）来衡量，价带中电子填充能级的水平是用________________________ （ＥＦp）来衡量。 （4分）
.标准答案：1. 导带费米能级;2. 价带费米能级;
20. 在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫________________。 （2分） .标准答案：1. 击穿电压;
21. 在开关器件及与之相关的电路制造中，________________已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 （2分） .标准答案：1. 掺金工艺;
22. 电阻率小于的材料称为（ ）。 （2分） A.导体 B.绝缘体 C.半导体 .标准答案：A
23. 下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ ）。 （2分） A.金属 B.半导体 C.绝缘体 .标准答案：C
24. 受主杂质电离后向半导体提供（ ）。 （2分） A.空穴 B.电子 C.空穴与电子 .标准答案：A
25. 衡量电子填充能级水平的是（ ）。 （2分） A.施主能级 B.费米能级 C.受主能级 .标准答案：B
26. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为
的
磷，费米能级（ ）；（已知:室温下
） （2分）
A.高于Ei B.低于Ei C.等于Ei .标准答案：A
2 第2页共5页27. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为的磷，少子浓度为（ ），（已知:室温下） （2
分） A.
B. C. .标准答案：C
28. 下列器件属于多子器件的是（ ）。 （2分） A.稳压二极管 B.肖特基二极管 C.发光二极管 .标准答案：B
29. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ ）。 （2分） A.重掺杂的半导体与金属接触 B.轻掺杂的半导体与金属接触 C.中等掺杂的半导体与金属接触 .标准答案：A
30. 晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（ ）。（2分）
A.较厚 B.较薄 C.很薄 .标准答案：C
31. 在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（ ）。 （2分）
A.饱和电压 B.击穿电压 C.开启电压 .标准答案：B
32. 平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ ）。 （2分） A.发射区 B.基区 C.集电区 .标准答案：A
33. 晶体中内层电子有效质量（ ）外层电子的有效质量。 （2分） A.大于 B.等于 C.小于 .标准答案：A
34. 位错是半导体材料中的一种常见的（ ）。 （2分） A.点缺陷 B.线缺陷 C.面缺陷 .标准答案：B
35. 在高温本征激发时，本征激发所产生的载流子数将远（ ）于杂质电离所产生的载流子数。 （2分）
A.多 B.少 C.等 .标准答案：A
36. 半导体的电导率随掺杂浓度的增加而（ ）。 （2分） A.增加 B.减小 C.不变 .标准答案：A
37. 根据成分的不同，半导体材料可以分为两类，分别是____________________和____________________。 （4分）
.标准答案：1. 元素半导体;2. 化合物半导体。;
38. 载流子的迁移率是描述载流子
____________________________________________的一个物理量；载流子的扩散系数是描述载流子____________________________________________的一个物理量。 （4分）
.标准答案：1. 在电场作用下的运动快慢;2. 在浓度梯度作用下的运动快慢;
39. PN结电容可分为________________和________________两种。 （4分） .标准答案：1. 扩散电容;2. 过渡区电容;
40. P型半导体的MIS结构外加栅压时，共有三种状态: ________、________、________。 （6分）
.标准答案：1. 积累;2. 耗尽;3. 反型;
41. 在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫________________。 （2分） .标准答案：1. 击穿电压;
42. 半导体硅材料的晶格结构是（ ）。 （2分） A.金刚石 B.闪锌矿 C.纤锌矿 .标准答案：A
43. 施主杂质电离后向半导体提供（ ）。 （2分） A.空穴 B.电子 C.空穴与电子 .标准答案：B
44. 砷化镓中的非平衡载流子复合主要依靠（ ）。 （2分） A. .标准答案：A
3 第3页共5页45. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为，同时掺有浓度为
的
磷，空穴浓度为（ ）。（已知:室温下） （2
分） A. B. C. .标准答案：C
46. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为的磷，少子浓度为（ ），（已知:室温下） （2
分） A.
B. C. .标准答案：C
47. 载流子的漂移运动产生（ ）电流。 （2分） A.漂移 B.隧道 C.扩散 .标准答案：A
48. 平衡状态下半导体中载流子浓度
载流子的产生率等于复合率，而当
时，载流子的复合率（ ）产生率。 （2分） A.大于 B.等于 C.小于 .标准答案：C
49. MIS结构半导体表面出现强反型的临界条件是（ ）。（VS为半导体表面电势；qVB=Ei-EF） （2分）
A.VS=VB B.VS=2VB C.VS=0 .标准答案：B
50. 在开关器件及与之相关的电路制造中，（ ）已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 （2分） A. .标准答案：C
51. 平面扩散型双极晶体管中掺杂浓度最高的是（ ）。 （2分） A.发射区 B.基区 C.集电区 .标准答案：A
52. 下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ ）。 （2分） A.金属、 B.半导体、 C.绝缘体
.标准答案：C
53. 在下列半导体中，费米能级最高的是（ ）。 （2分） A.强P型 B.弱P型 C.强N型 .标准答案：C
54. 位错是半导体材料中的一种常见的（ ）。 （2分） A.点缺陷 B.线缺陷 C.面缺陷 .标准答案：B
55. 半导体的电导率随掺杂浓度的增加而（ ）。 （2分） A.增加 B.减小 C.不变 .标准答案：A
56. 根据成分的不同，半导体材料可以分为两类，分别是____________________和____________________。 （4分）
.标准答案：1. 元素半导体;2. 化合物半导体。;
57. PN结电击穿的产生机构两种，分别是________________和________________。 （4分）
.标准答案：1. 雪崩击穿;2. 隧道击穿或齐纳击穿。;
58. 当MOSFET器件尺寸缩小时会对其阈值电压VT产生影响，具体地，对于短沟道器件对VT的影响为________，对于窄沟道器件对VT的影响为________。 （4分）
.标准答案：1. 下降;2. 上升;
59. 平衡状态下，我们用统一的费米能级ＥＦ来标志电子填充能级的水平，在非平衡状态下，导带中的电子填充能级的水平是用________________________（ＥＦn）来衡量，价带中电子填充能级的水平是用________________________ （ＥＦp）来衡量。 （4分）
.标准答案：1. 导带费米能级;2. 价带费米能级;
60. 在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫________________。 （2分） .标准答案：1. 击穿电压;
61. 在开关器件及与之相关的电路制造中，________________已作为缩短少数载流子寿命的有效手段。 （2分） .标准答案：1. 掺金工艺;
62. 电阻率小于的材料称为（ ）。 （2分）
4 第4页共5页63. 下列固体中，禁带宽度Eg最大的是（ ）。 （2分） A.金属 B.半导体 C.绝缘体 .标准答案：C
64. 受主杂质电离后向半导体提供（ ）。 （2分） A.空穴 B.电子 C.空穴与电子 .标准答案：A
65. 衡量电子填充能级水平的是（ ）。 （2分） A.施主能级 B.费米能级 C.受主能级 .标准答案：B
66. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为
的
磷，费米能级（ ）；（已知:室温下
） （2分）A.高于Ei B.低于Ei C.等于Ei .标准答案：A
67. 室温下，半导体Si中掺硼的浓度为同时掺有浓度为的磷，少子浓度为（ ），（已知:室温下） （2
分） A.
B. C. .标准答案：C
68. 下列器件属于多子器件的是（ ）。 （2分） A.稳压二极管 B.肖特基二极管 C.发光二极管 .标准答案：B
69. 实际生产中，制作欧姆接触最常用的方法是（ ）。 （2分） A.重掺杂的半导体与金属接触 B.轻掺杂的半导体与金属接触 C.中等掺杂的半导体与金属接触 .标准答案：A
70. 晶体管中复合与基区厚薄有关，基区越厚，复合越多，因此基区应做得（ ）。（2分）
A.较厚 B.较薄 C.很薄 .标准答案：C
71. 在二极管中，外加反向电压超过某一数值后，反向电流突然增大，这个电压叫（ ）。 （2分）
A.饱和电压 B.击穿电压 C.开启电压 .标准答案：B
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