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传感器与检测技术试卷及答案 - 图文

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2. (1)应变片(R1、R2、R3、R4)粘贴位置如图a所示;测量电桥如图b所示。

(2)根据以上位置布片和电桥接法,着力点位置的变化不会影响 Pz 的大小,因为在顶尖上的分力 Pz1、Pz2,Pz=Pz1+Pz2,由 Pz1、Pz2引起的电阻 R1、R3的变化值之和保持不变,故Pz的测量不受着力点的移动而改变。

( ( ( (试卷三 试卷三 试卷三 试卷三) ) ) )

一 填空(每空 1分,共20分)

1.通常传感器由___________________部分组成, 是能把外界________转换成________器件和装置。 2.金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化,这种现象 称______效应;固体受到作用力后电阻率要发生变化,这种现象 称_____效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同,圆 弧部分使灵敏度K 下降了,这种现象称为_______效应。

3.差动变压器式传感器理论上讲,衔铁位于中心位置时输出电压为零,而 实际上差动变压器输出电压不为零,我们把这个不为零的电压称为 ________电压;利用差动变压器测量位移时如果要求区别位移 方向(或正负)可采用______________电路。

4.把一导体(或半导体)两端通以控制电流I,在垂直方向施加磁场B,在 另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势,这种现象称 ________效应,这个电动势称为_______电势。外加磁场 使半导体(导体)的电阻值随磁场变化的现象成________效应。 5.某些电介质当沿一定方向对其施力而变形时内部产生极化现象,同时在 它的表面产生符号相反的电荷,当外力去掉后又恢复不带电的状态,这种 现象称为_______效应;在介质极化方向施加电场时电介质会产生 形变,这种效应又称________效应。

6.在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称________效应; 入射光强改变物质导电率的现象称________效应;半导体材料 吸收光能后在PN 结上产生电动式的效应称________效应。

7、块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中作切割磁力线运动时,导体内 部会产生一圈圈闭合的电流,利用该原理制作的传感器称_______ 传感器;这种传感器只能测量________物体。

8、不同的金属两端分别连在一起构成闭合回路,如果两端温度不同,电路中 会产生电动势,这种现象称_______效应;若两金属类型相同两端 温度不同,加热一端时电路中电动势E =___。 二 选择题(每空1分,共20分)

电阻应变片 磁敏电阻 霍尔元件 气敏传感器 湿敏传感器 光电耦合器 压电传感器 电容传感器 热敏电阻 CCD电荷耦合器 压阻式传感器 光纤传感器 磁电传感器 光电二极管 差动变压器 热释电器件 磁敏晶体管 电涡流传感器 光电池 超声波传感器 热电偶 红外传感器 色敏传感器 正确选择以上传感器填入以下空内:

1可以进行位移测量的传感器有______、______、______; 2可以完成温度测量的有______、______、______; 3半导体式传感器是_____、_____、_____、______; 4光电传感器有______、______、______、______; 5用于磁场测量的传感器______、______、;

6进行振动(或加速度)测量的传感器______、______; 7利用物体反射进行非电量检测的传感器______、______;

三 计算 (每题5分,共10分)

1、图为一直流应变电桥,E = 4V,R1=R2=R3=R4=350Ω, 求:

①R1为应变片其余为外接电阻, R1增量为△R1=3.5Ω 时输出U0=?。 ②R1、R2是应变片,感受应变极性大小相同,其余为电阻,电压输出U0=?。 ③R1、R2感受应变极性相反,输出U0=?。

④R1、R2、R3、R4都是应变片,对臂同性,邻臂异性,电压输出U0=?。 2 石英晶体加速计及电荷放大器测量机械振动,已知加速度计灵敏度为

5pc/g,电荷放大器灵敏度为50mv/pc,当机器达到最大加速度时的相应输出电压幅值为2V,试求机械的振动加速度(单位g)。 四 问答题(每题5分,共10分)

1压力传感器测量砝码数据如下,试解释这是一种什么误差,产生这种误差的原因是什么。 N(g) 0 1.0 2 3 4 5 正行程(mv)0 1.5 2 2.5 3 3.5 反行程(mv)0 0.5 1 2 2.5 3.5 2解释下列磁敏传感器: ①磁敏电阻与磁敏晶体管有哪些不同?

②磁敏晶体管与普通晶体管的不同之处是什么? ③磁敏电阻与霍尔元件属同一类磁电转换元件,在本质上有什么不同?

五 电路分析(每题5分,共20分)

1。下图左是电容式差压传感器,金属膜片与两盘构成差动电容C1、C2 ,两边压力分别为P1、P2。下图右为二极管双T型电路,电路中电容是左图中差动电容,UE电源是占空比为50%的方波。 试分析:

?? 当两边压力相等P1=P2时负载电阻RL 上的电压U0值; ?? 当P1>P2时负载电阻RL上电压U0大小和方向(正负)。

2。图为酒精测试仪电路,A是显示驱动器。

问:①TGS—812是什么传感器?

②2、5 脚是传感器哪个部分,有什么作用?

③分析电路工作原理,调节电位器RP有什么意义?

3。图为光电传感器电路,GP—IS01是光电断路器。分析电路工作原理:

①当用物体遮挡光路时晶体三极管VT 状态是导通还是截止? ②二极管是一个什么器件,在电路中起到什么作用? ③如果二极管反相连接晶体管VT状态如何?

4。下图是电阻应变仪电路框图,电桥采用交流供电,应变信号为一正弦变化的信号频率为 20Hz,振荡频率4KHz。请画出放大器、相敏检波器、低通滤波器的输出波形示意图。

( ( ( (答案三 答案三 答案三 答案三) ) ) )

一.填空(每空1 分,共20分)

1. 通常传感器由敏感元件、转换元件、基本转换电路三部分组成, 是能把外界非电量转换成电量的器件和装置。

2. 金属丝在外力作用下发生机械形变时它的电阻值将发生变化,这种现象 称应变效应;固体受到作用力后电阻率要发生变化,这种现象称

压阻效应。直线的电阻丝绕成敏感栅后长度相同但应变不同,圆弧部分 使灵敏度K下降了,这种现象称为横向效应。

3. 差动变压器式传感器理论上讲,衔铁位于中心位置时输出电压为零,而 实际上差动变压器输出电压不为零,我们把这个不为零的电压称为 零点残余电压;利用差动变压器测量位移时,如果要求区别位移方向(或 正负)可采用相敏检波电路。

4. 把一导体(或半导体)两端通以控制电流I,在垂直方向施加磁场B,在 另外两侧会产生一个与控制电流和磁场成比例的电动势,这种现象称 霍尔效应,这个电动势称为霍尔电势。外加磁场使半导体(导体) 5. 的电阻值随磁场变化的现象成磁阻效应。

某些电介质当沿一定方向对其施力而变形时内部产生极化现象,同时在 它的表面产生符号相反的电荷,当外力去掉后又恢复不带电的状态,这种 现象称为正压电效应;在介质极化方向施加电场时电介质会产生 形变,这种效应又称逆压电效应。

6. 在光线作用下电子逸出物体表面向外发射称外光电效应;入射光强 改变物质导电率的现象称光电导效应;半导体材料吸收光能后在 PN结上产生电动式的效应称光生伏特效应。

7. 块状金属导体置于变化的磁场中或在磁场中作切割磁力线运动时,导体内 部会产生一圈圈闭合的电流,利用该原理制作的传感器称电涡流

传感器;这种传感器只能测量金属物体。

8. 不同的金属两端分别连在一起构成闭合回路,如果两端温度不同,电路中 会产生电动势,这种现象称热电效应效应;若两金属类型相同两端 温度不同,加热一端时电路中电动势E =0。 二.选择题(每空1分,共20分)

电阻应变片 磁敏电阻 霍尔元件 气敏传感 器 湿敏传感器

光电耦合器 压电传感器 电容传感器 热敏电阻 CCD 电荷耦合器

压阻式传感器 光纤传感器 磁电传感器 光电二极管 差动变 压器

热释电器件 磁敏晶体管 电涡流传感器 光电池 超 声波传感器

热电偶 红外传感器 色敏传感器

正确选择以上传感器填入以下空内:

1.可以进行位移测量的传感器有光纤传感器、差动变压器、电阻传感器; 2.可以完成温度测量的有热电偶、热敏电阻;热释电;

3.半导体式传感器是磁敏、霍尔元件、气敏传感器、压阻传感器;

4.光电传感器有光电耦合器、色敏传感器、光纤传感器、光电二极管;

传感器与检测技术试卷及答案 - 图文

2.(1)应变片(R1、R2、R3、R4)粘贴位置如图a所示;测量电桥如图b所示。(2)根据以上位置布片和电桥接法,着力点位置的变化不会影响Pz的大小,因为在顶尖上的分力Pz1、Pz2,Pz=Pz1+Pz2,由Pz1、Pz2引起的电阻R1、R3的变化值之和保持不变,故Pz的测量不受着力点的移动而改变。
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